ICS 31.080.01 CCS K 81 T/CI 161━2022 1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型 晶体管（ IGBT）驱动器 1 200 V and 1 700 V Insulated grade bipolar transistor（IGBT ）gate driver 2022 - 12 - 15发布 2022 – 12- 15实施 中国国际科技促进会 发布 团体标准 全国团体标准信息平台 T/CI 161 —2022 I 目 次 目 次 ............................................................................... I 前 言 .............................................................................. II 1 范围 .............................................................................. 1 2 规范性引用文件 .................................................................... 1 3 术语和定义 ........................................................................ 2 4 缩率语 ............................................................................ 2 5 基本参数 .......................................................................... 3 6 技术要求 .......................................................................... 3 7 试验方法 .......................................................................... 6 8 检验规则 ......................................................................... 11 9 标志、包装、运输及贮存 ........................................................... 13 全国团体标准信息平台 T/CI 161 —2022 II 前 言 本文件按照 GB/T 1.1—2020 《标准化工作导则 第 1 部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由杭州飞仕得科技股份有限公司提出。 本文件由中国国际科技促进会归口管理。 本文件起草单位 ：杭州飞仕得科 技股份有限 公司、浙江 运达风电股份有限公司、杭州得诚电力科技 股份有限公司、杭州飞仕得半导体科技有 限公司、杭州毕博标准化技术有限公司。 本文件主要起草人：李军、王坤、陈哲、钱方平、刘伟、李景灏、周才运、张杰、郭祥辉、刘乃强、 杨昌国、王文广、洪磊、沈军武、付厚、魏平、孔佳佳。 本文件由杭州飞仕得科技股份有限公司制定、并负责解释。 全国团体标准信息平台 T/CI 161 —2022 1 1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管（IGBT）驱动器 1 范围 本文件规定了1 200 V和1 700 V电压等级 绝缘栅双极型晶体管 （IGBT）驱动器的术语和定义、缩 略语、 基本参数 、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及储存。 本文件适用于新能源、工业控制等领域应用的1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管驱动 器 （以下简称“驱动器”）。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。 其中， 注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本 文件。 GB/T 191 包装储运图示标志 GB/T 2423.1—2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验A:低温 GB/T 2423.2—2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验B:高温 GB/T 2423.4 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验Db 交变湿热（ 12h＋12h循环） GB/T 2423.5—2019 环境试验 第2部分:试验方法 试验Ea和导则:冲击 GB/T 2423.10— 2019 环境试验 第2部分:试验方法 试验Fc:振动（正弦） GB/T 2423.17 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验Ka:盐雾 GB/T 7354 局部放电测量 GB/T 15651 —1995 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件 GB/T 16439 —2009 交流伺服系 统通用技术条件 GB/T 17574 —1998 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 GB/T 17626.2— 2018 电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验 GB/T 17626.3— 2016 电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验 GB/T 17626.4— 2018 电磁兼 容 试验和测 量技术 电快速瞬变脉冲群抗扰度试验 GB/T 17626.5— 2019 电磁兼容 试验和测量技术 浪涌（冲击）抗扰度试验 GB/T 17626.6— 2017 电磁 兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB/T 17626.8— 2006 电磁兼容 试验和测量技术 工频磁场抗扰度试验 GB/T 17626.9— 2011 电磁兼容 试验和测量技术 脉冲磁场抗扰度试验 GB/T 29332 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管（IGBT ） GB/T 39392 —2020 家用电器专用智能功率模块技术规范 SJ 3212 电子产品运输包装总技术条件 IEC 61800- 5-1-2022 调速电气传动系统 第5-1部分:安全要求 电 、热 和 能 量（ Adjustable speed electrical power drive systems - Part 5-1: Safety requirements - Electrical, thermal and energy） 全国团体标准信息平台 T/CI 161 —2022 2 3 术语和定义 GB/T 29332 以及下列界定的术语和定义适用于本文件。 3.1 开通延时 opening delay 驱动器输入PWM信号上升沿10%传输 至门极输出信号上升沿 10%所需的时间。 3.2 关断延时 turn-off delay 驱动器输入PWM信号下降沿90%传输 至门极输出信号下降沿 90%所需的时间。 3.3 上升时间 rise time 驱动器门极输出信号 的门极关断电压 （-15 V/-8 V）的10%至门极开通电压（+15 V)的90%的时间量。 3.4 下降时间 descending time 驱动器门极输出信号 的门极开通电压（ +15 V）的90%至门极关断电压 （-15 V/-8 V）的10%的时间量。 3.5 故障信号保持时间 fault signal holding time 发生故障以后，驱动器故障输出端的输出信号的保持时间。 3.6 空载电流 no load current 在额定电源电压且每路驱动输出在空载条件下的电源电流。 3.7 工作电流 operating current 在额定电源电压且每路驱动输出达到满载条件下的电源电流。 3.8 VCE短路保护响应时间 VCE short-circuit protection response time 功率器件IGBT短路发生到驱动器执行关断的时间。 3.9 阻断时间 blocking time 驱动器从SOx 报出故障时刻开始封锁门极电压输出到能够响应上位机 PWM信号的时间。 4 缩略语 下列缩略语适用于本文件： 全国团体标准信息平台 T/CI 161 —2022 3 IGBT：绝缘栅 双极型晶体管 ； PWM：脉冲宽度调制； LCR：测试电感、电阻、电容的数字电桥； DUT：被测绝缘栅双极型晶体管驱动器； VCE：集电极 -发射极电压； VGE：栅极-发射极电压； SOx：故障状态输出端口。 5 绝缘参数 驱动器低压侧与高压侧 的绝缘参数应符合表 1的要求。 表1 绝缘参数 电压等级 绝缘耐压 测试时间